MBRD660CTT4G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MBRD660CTT4G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MBRD660CTT4G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 10.991 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MBRD660CTT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBRD660CTT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MBRD660CTT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 60V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie SWITCHMODE™ Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 620mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
