MC1413BDR2
Nur als Referenz
| Teilenummer | MC1413BDR2 |
| PNEDA Teilenummer | MC1413BDR2 |
| Beschreibung | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.690 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MC1413BDR2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MC1413BDR2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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MC1413BDR2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 7 NPN Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
