MC33153DR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MC33153DR2G |
| PNEDA Teilenummer | MC33153DR2G |
| Beschreibung | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.812 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 1 - Jul 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MC33153DR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MC33153DR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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MC33153DR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 11V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1.2V, 3.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1A, 2A |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 17ns, 17ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 15V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4A, 4A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 29V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 65ns, 65ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 14-HTSSOP |
