MCT9001W
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| Teilenummer | MCT9001W |
| PNEDA Teilenummer | MCT9001W |
| Beschreibung | OPTOISO 5KV 2CH TRANSISTOR 8DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.858 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 9 - Mai 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MCT9001W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCT9001W |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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MCT9001W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 5000Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 50% @ 5mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2.4µs, 2.4µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 30mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-DIP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5µs, 5µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 300V Strom - Ausgang / Kanal 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 80mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -25°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads Lieferantengerätepaket 6-DIP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 4 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SO |
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