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MJ11032

MJ11032

Nur als Referenz

Teilenummer MJ11032
PNEDA Teilenummer MJ11032
Beschreibung TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MJ11032 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMJ11032
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
MJ11032, MJ11032 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 116,12 KB)
PDFMJ11030G Datenblatt Cover
MJ11030G Datenblatt Seite 2 MJ11030G Datenblatt Seite 3 MJ11030G Datenblatt Seite 4

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MJ11032 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3.5V @ 500mA, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 25A, 5V
Leistung - max300W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AE
LieferantengerätepaketTO-3

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

STBV45G-AP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 400mA, 5V

Leistung - max

950mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92AP

BC307B

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

280MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

KSC945OTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MJ802

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

90V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 750mA, 7.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 7.5A, 2V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

2MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3

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