MJ11032G
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| Teilenummer | MJ11032G |
| PNEDA Teilenummer | MJ11032G |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 28 - Jun 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJ11032G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJ11032G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJ11032G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 2mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
| Leistung - max | 300W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AE |
| Lieferantengerätepaket | TO-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 280MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-96 Lieferantengerätepaket TSMT3 |
