MJD6039T4
Nur als Referenz
| Teilenummer | MJD6039T4 |
| PNEDA Teilenummer | MJD6039T4 |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.588 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJD6039T4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJD6039T4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJD6039T4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 500 @ 2A, 4V |
| Leistung - max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 125MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 260MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 200mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3 Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V Leistung - max 83W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
