MJF6668G
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| Teilenummer | MJF6668G |
| PNEDA Teilenummer | MJF6668G |
| Beschreibung | TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.488 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJF6668G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJF6668G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJF6668G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 3000 @ 3A, 4V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
