MJH11020G
Nur als Referenz
| Teilenummer | MJH11020G |
| PNEDA Teilenummer | MJH11020G |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 200V 15A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.080 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MJH11020G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MJH11020G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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MJH11020G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 200V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 150mA, 15A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 400 @ 10A, 5V |
| Leistung - max | 150W |
| Frequenz - Übergang | 3MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 2mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
