MMBF5457LT1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBF5457LT1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBF5457LT1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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MMBF5457LT1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBF5457LT1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBF5457LT1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 25V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 500mV @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 225mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SC-72 Lieferantengerätepaket 3-SPA |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.5V @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 310mW Betriebstemperatur 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
