MMBFJ175LT3G
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| Teilenummer | MMBFJ175LT3G |
| PNEDA Teilenummer | MMBFJ175LT3G |
| Beschreibung | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.482 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBFJ175LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBFJ175LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBFJ175LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 3V @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 125 Ohms |
| Leistung - max | 225mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
