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MMBFJ271

MMBFJ271

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ271
PNEDA Teilenummer MMBFJ271
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,2516
500 ---------- $0,2399
1.000 ---------- $0,2281
2.500 ---------- $0,2163
5.000 ---------- $0,2064
10.000 ---------- $0,1966
Auf Lager 5.818
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MMBFJ271 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ271
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBFJ271, MMBFJ271 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 291,36 KB)
PDFMMBFJ271 Datenblatt Cover
MMBFJ271 Datenblatt Seite 2 MMBFJ271 Datenblatt Seite 3 MMBFJ271 Datenblatt Seite 4 MMBFJ271 Datenblatt Seite 5

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MMBFJ271 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)6mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id1.5V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

250 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2N4861JTXL02

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

2N4119A-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AF (TO-72)

PN5434_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

10 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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