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MP6M14TCR

MP6M14TCR

Nur als Referenz

Teilenummer MP6M14TCR
PNEDA Teilenummer MP6M14TCR
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.322
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MP6M14TCR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMP6M14TCR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
MP6M14TCR, MP6M14TCR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 647,63 KB)
PDFMP6M14TCR Datenblatt Cover
MP6M14TCR Datenblatt Seite 2 MP6M14TCR Datenblatt Seite 3 MP6M14TCR Datenblatt Seite 4 MP6M14TCR Datenblatt Seite 5 MP6M14TCR Datenblatt Seite 6 MP6M14TCR Datenblatt Seite 7 MP6M14TCR Datenblatt Seite 8 MP6M14TCR Datenblatt Seite 9 MP6M14TCR Datenblatt Seite 10 MP6M14TCR Datenblatt Seite 11

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MP6M14TCR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketMPT6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

969pF @ 30V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDS4897C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.2A, 4.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 20V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SSM6P36FE,LM

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

330mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2546pF @ 25V

Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

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