MPS3563G
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| Teilenummer | MPS3563G |
| PNEDA Teilenummer | MPS3563G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MPS3563G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MPS3563G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MPS3563G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 1.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6.5dB @ 60MHz |
| Gewinn | 14dB @ 200MHz |
| Leistung - max | 350W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 8mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M214 Lieferantengerätepaket M214 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz Gewinn 14dB Leistung - max 190mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-ECSP1006 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 1GHz Gewinn 10dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
