MR25H10CDCR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MR25H10CDCR |
| PNEDA Teilenummer | MR25H10CDCR |
| Beschreibung | IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN |
| Hersteller | Everspin Technologies Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MR25H10CDCR Ressourcen
| Marke | Everspin Technologies Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MR25H10CDCR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MR25H10CDCR Datasheet
- where to find MR25H10CDCR
- Everspin Technologies Inc.
- Everspin Technologies Inc. MR25H10CDCR
- MR25H10CDCR PDF Datasheet
- MR25H10CDCR Stock
- MR25H10CDCR Pinout
- Datasheet MR25H10CDCR
- MR25H10CDCR Supplier
- Everspin Technologies Inc. Distributor
- MR25H10CDCR Price
- MR25H10CDCR Distributor
MR25H10CDCR Technische Daten
| Hersteller | Everspin Technologies Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | RAM |
| Technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
| Speicherschnittstelle | SPI |
| Taktfrequenz | 40MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN-EP, Large Flag (5x6) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speichergröße 8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI, DTR Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 800µs Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.445", 11.30mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.5ns Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-LQFP (14x20) |
