MRF8P20140WGHSR3
Nur als Referenz
| Teilenummer | MRF8P20140WGHSR3 |
| PNEDA Teilenummer | MRF8P20140WGHSR3 |
| Beschreibung | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.358 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF8P20140WGHSR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF8P20140WGHSR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
MRF8P20140WGHSR3, MRF8P20140WGHSR3 Datenblatt
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MRF8P20140WGHSR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS (Dual) |
| Frequenz | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| Gewinn | 16dB |
| Spannungstest | 28V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 500mA |
| Leistung - Leistung | 24W |
| Spannung - Nennspannung | 65V |
| Paket / Fall | NI-780S-4 |
| Lieferantengerätepaket | NI-780S-4 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp pHEMT FET Frequenz 3.55GHz Gewinn 12dB Spannungstest 12V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 650mA Leistung - Leistung 3W Spannung - Nennspannung 15V Paket / Fall HF-600 Lieferantengerätepaket - |
