MS1202
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| Teilenummer | MS1202 |
| PNEDA Teilenummer | MS1202 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS1202 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS1202 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS1202 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 35V |
| Frequenz - Übergang | 118MHz ~ 136MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.4dB |
| Leistung - max | 15W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 5 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M135 |
| Lieferantengerätepaket | M135 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 8dB ~ 17dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 17dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket SC-82FL/MCPH4 |
