MS2586
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| Teilenummer | MS2586 |
| PNEDA Teilenummer | MS2586 |
| Beschreibung | RF POWER TRANSISTOR |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MS2586 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2586 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2586 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.25dB @ 1kHz Gewinn - Leistung - max 750mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 13dB ~ 7dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn 7.5dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
