MS652S
Nur als Referenz
| Teilenummer | MS652S |
| PNEDA Teilenummer | MS652S |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.668 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS652S Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS652S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS652S Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 16V |
| Frequenz - Übergang | 450MHz ~ 512MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10dB |
| Leistung - max | 25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M123 |
| Lieferantengerätepaket | M123 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
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