MSRT150120(A)D
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSRT150120(A)D |
| PNEDA Teilenummer | MSRT150120-A-D |
| Beschreibung | DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSRT150120(A)D Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSRT150120(A)D |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MSRT150120(A)D Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 150A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 150A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 100A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant Lieferantengerätepaket TO-263AC (SMPD) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 240V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 225mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 240V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 18A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 400V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
