MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
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| Teilenummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT:B |
| PNEDA Teilenummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT-B |
| Beschreibung | IC FLASH 128G PARALLEL VBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.870 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 12 - Mai 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT:B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 128Gb (16G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 152-VBGA (14x18) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (16M x 4) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.8ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TFBGA Lieferantengerätepaket 54-TFBGA (8x8) |
