MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR
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| Teilenummer | MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F256G08CMCBBH2-10IT-B-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 256Gb (32G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 100-TBGA (12x18) |
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Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TFBGA (8x13) |
