MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I-83G-TR |
| Beschreibung | IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.294 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 162-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 162-VFBGA (10.5x8) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 36-SOJ |
