MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR
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| Teilenummer | MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR |
| PNEDA Teilenummer | MT46H32M16LFBF-6-AT-C-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 5.0ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 60-VFBGA (8x9) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket 32-sTSOP I |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-TBGA Lieferantengerätepaket 165-TFBGA (13x15) |
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