MT47H512M4THN-3:E TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT47H512M4THN-3:E TR |
| PNEDA Teilenummer | MT47H512M4THN-3-E-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.424 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 16 - Jul 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT47H512M4THN-3:E TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT47H512M4THN-3:E TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT47H512M4THN-3:E TR, MT47H512M4THN-3:E TR Datenblatt
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MT47H512M4THN-3:E TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 450ps |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-FBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-FBGA (9x11.5) |
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