MT47H512M8WTR-25E:C
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT47H512M8WTR-25E:C | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MT47H512M8WTR-25E-C | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 1 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 5 - Jun 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MT47H512M8WTR-25E:C Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT47H512M8WTR-25E:C |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT47H512M8WTR-25E:C, MT47H512M8WTR-25E:C Datenblatt
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MT47H512M8WTR-25E:C Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-FBGA (9x11.5) |
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