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MT48LC32M16A2P-75:C TR

MT48LC32M16A2P-75:C TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT48LC32M16A2P-75:C TR
PNEDA Teilenummer MT48LC32M16A2P-75-C-TR_D3
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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MT48LC32M16A2P-75:C TR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT48LC32M16A2P-75:C TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT48LC32M16A2P-75:C TR, MT48LC32M16A2P-75:C TR Datenblatt (Total Pages: 77, Größe: 3.584,77 KB)
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MT48LC32M16A2P-75:C TR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Microchip Technology

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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