MUR20010CT
Nur als Referenz
| Teilenummer | MUR20010CT |
| PNEDA Teilenummer | MUR20010CT |
| Beschreibung | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MUR20010CT Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MUR20010CT |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MUR20010CT Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 255ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1000V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
