MUR2560
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| Teilenummer | MUR2560 |
| PNEDA Teilenummer | MUR2560 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.112 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MUR2560 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MUR2560 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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MUR2560 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 25A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AD Lieferantengerätepaket MicroSMP (DO-219AD) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 70A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 220A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 9mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 2.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 165A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 60A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 22mA @ 1600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AA (DO-8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
