MURTA500120R
Nur als Referenz
| Teilenummer | MURTA500120R |
| PNEDA Teilenummer | MURTA500120R |
| Beschreibung | DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.744 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MURTA500120R Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MURTA500120R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MURTA500120R Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 250A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 250A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, TMBS® Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 980mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800µA @ 120V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262AA |
