MWI50-12E6K
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| Teilenummer | MWI50-12E6K |
| PNEDA Teilenummer | MWI50-12E6K |
| Beschreibung | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.038 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MWI50-12E6K Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MWI50-12E6K |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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MWI50-12E6K Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 51A |
| Leistung - max | 210W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 300µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | E1 |
| Lieferantengerätepaket | E1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 385W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
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