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MX29LV400CTTI-70G

MX29LV400CTTI-70G

Nur als Referenz

Teilenummer MX29LV400CTTI-70G
PNEDA Teilenummer MX29LV400CTTI-70G
Beschreibung IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
Hersteller Macronix
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MX29LV400CTTI-70G Ressourcen

Marke Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX29LV400CTTI-70G
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MX29LV400CTTI-70G, MX29LV400CTTI-70G Datenblatt (Total Pages: 76, Größe: 3.333,48 KB)
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MX29LV400CTTI-70G Technische Daten

HerstellerMacronix
SerieMX29LV
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket48-TSOP

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

576Kb (32K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.15V ~ 3.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (256 Bytes x 16384 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

7µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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