NCD5703CDR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCD5703CDR2G |
| PNEDA Teilenummer | NCD5703CDR2G |
| Beschreibung | METAL SPIN OF NCD5703C. H |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.126 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCD5703CDR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCD5703CDR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCD5703CDR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | IGBT |
| Spannung - Versorgung | 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 7.8A, 6.8A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 9.2ns, 7.9ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 13ns Betriebstemperatur 0°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-5 Lieferantengerätepaket TO-220-5 |
