NCP5106BMNTWG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NCP5106BMNTWG |
| PNEDA Teilenummer | NCP5106BMNTWG |
| Beschreibung | IC DRIVER HI/LO 600V 10DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.960 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NCP5106BMNTWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NCP5106BMNTWG |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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NCP5106BMNTWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 250mA, 500mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 85ns, 35ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 10-DFN (4x4) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2.5A, 2.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 15ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOP |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 0.5V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 33V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 8ns, 8ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-QFN (3x3) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Logikspannung - VIL, VIH 0.6V, 3.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 16ns, 11ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3) |
