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NCP5183DR2G

NCP5183DR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCP5183DR2G
PNEDA Teilenummer NCP5183DR2G
Beschreibung IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NCP5183DR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCP5183DR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCP5183DR2G, NCP5183DR2G Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 552,32 KB)
PDFNCV5183DR2G Datenblatt Cover
NCV5183DR2G Datenblatt Seite 2 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 3 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 4 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 5 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 6 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 7 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 8 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 9 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 10 NCV5183DR2G Datenblatt Seite 11

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NCP5183DR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH1.2V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4.3A, 4.3A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)12ns, 12ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 22V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4.5A, 4.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4428AEMF

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

LTC1177IN-5

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

L6571AD013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 16.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

170mA, 270mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

VLA500-01

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.2V ~ 15.8V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

12A, 12A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

300ns, 300ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 60°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Module

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