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NCV57000DWR2G

NCV57000DWR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NCV57000DWR2G
PNEDA Teilenummer NCV57000DWR2G
Beschreibung IC IGBT GATE DRIVER
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $48,2906
100 ---------- $46,0269
250 ---------- $43,7633
500 ---------- $41,4997
750 ---------- $39,6133
1.000 ---------- $37,7270
Auf Lager 2.476
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NCV57000DWR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNCV57000DWR2G
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
NCV57000DWR2G, NCV57000DWR2G Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 225,12 KB)
PDFNCV57000DWR2G Datenblatt Cover
NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 2 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 3 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 4 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 5 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 6 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 7 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 8 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 9 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 10 NCV57000DWR2G Datenblatt Seite 11

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NCV57000DWR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT
Spannung - Versorgung24V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)7.8A, 7.1A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)10ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket16-SOIC

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Hersteller

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Serie

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

100ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

14-DIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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FAN73833MX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

11V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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