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NDH8436

NDH8436

Nur als Referenz

Teilenummer NDH8436
PNEDA Teilenummer NDH8436
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-8
Hersteller ON Semiconductor
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NDH8436 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNDH8436
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NDH8436, NDH8436 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 296,34 KB)
PDFNDH8436 Datenblatt Cover
NDH8436 Datenblatt Seite 2 NDH8436 Datenblatt Seite 3 NDH8436 Datenblatt Seite 4 NDH8436 Datenblatt Seite 5 NDH8436 Datenblatt Seite 6

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NDH8436 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSuperSOT™-8
Paket / Fall8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2754pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

117W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

TK20G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIA432DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6

IRF540ZSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

92W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STD70N02L-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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