NE68133-T1B-R35-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE68133-T1B-R35-A |
| PNEDA Teilenummer | NE68133-T1B-R35-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE68133-T1B-R35-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE68133-T1B-R35-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
NE68133-T1B-R35-A, NE68133-T1B-R35-A Datenblatt
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NE68133-T1B-R35-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 13dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 8.3dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 100MHz Gewinn 24dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SSMini3-F3-B |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 225MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.4dB Leistung - max 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 14dB ~ 16dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 3mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket 4-Super Mini Mold |
