NE85630-R24-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE85630-R24-A |
| PNEDA Teilenummer | NE85630-R24-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE85630-R24-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE85630-R24-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE85630-R24-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 4.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 9dB |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 100MHz Gewinn 27dB ~ 30dB Leistung - max 85mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 320W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 7A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M174 Lieferantengerätepaket M174 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB @ 900MHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-143R Lieferantengerätepaket SOT-143R |
