NE85633L-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE85633L-A |
| PNEDA Teilenummer | NE85633L-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 28 - Jun 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE85633L-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE85633L-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE85633L-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 9dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21dB Leistung - max 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 10dB ~ 14.5dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-6-1 |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Frequenz - Übergang 1.48GHz ~ 1.65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.3dB ~ 8.6dB Leistung - max 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW-1 Lieferantengerätepaket 55AW-1 |
