NESG2030M04-T2-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NESG2030M04-T2-A |
| PNEDA Teilenummer | NESG2030M04-T2-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.132 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 14 - Jul 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NESG2030M04-T2-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | NESG2030M04-T2-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
NESG2030M04-T2-A, NESG2030M04-T2-A Datenblatt
(Total Pages: 10, Größe: 428,56 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NESG2030M04-T2-A Datasheet
- where to find NESG2030M04-T2-A
- CEL
- CEL NESG2030M04-T2-A
- NESG2030M04-T2-A PDF Datasheet
- NESG2030M04-T2-A Stock
- NESG2030M04-T2-A Pinout
- Datasheet NESG2030M04-T2-A
- NESG2030M04-T2-A Supplier
- CEL Distributor
- NESG2030M04-T2-A Price
- NESG2030M04-T2-A Distributor
NESG2030M04-T2-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2.3V |
| Frequenz - Übergang | 60GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz |
| Gewinn | 16dB |
| Leistung - max | 80mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343F |
| Lieferantengerätepaket | M04 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Betriebstemperatur 250°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Common Emitter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB Leistung - max 100W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 744A-01 Lieferantengerätepaket 744A-01, Style 1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9.5dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
