NGB8202NT4
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| Teilenummer | NGB8202NT4 |
| PNEDA Teilenummer | NGB8202NT4 |
| Beschreibung | IGBT 440V 20A 150W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGB8202NT4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGB8202NT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGB8202NT4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 440V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/5µs |
| Testbedingung | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.5ns/103ns Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 107ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Leistung - max 2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 65ns/250ns Testbedingung 300V, 15A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FI(LS) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 52A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 297W Schaltenergie 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/210ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42.5ns/177ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
