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NGTB30N60IHLWG

NGTB30N60IHLWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB30N60IHLWG
PNEDA Teilenummer NGTB30N60IHLWG
Beschreibung IGBT 600V 30A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB30N60IHLWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB30N60IHLWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB30N60IHLWG, NGTB30N60IHLWG Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 134,01 KB)
PDFNGTB30N60IHLWG Datenblatt Cover
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NGTB30N60IHLWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
Leistung - max250W
Schaltenergie280µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.70ns/140ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)400ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

365V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 4V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

NGTB30N60SWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

189W

Schaltenergie

750µJ (on), 540µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

57ns/109ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG7CH50UEF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

550µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/150ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

STGWA40S120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

468W

Schaltenergie

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

129nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/148ns

Testbedingung

600V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

355ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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