NGTB40N120S3WG
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| Teilenummer | NGTB40N120S3WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB40N120S3WG |
| Beschreibung | IGBT 1.2KV 40A TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 9 - Mai 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB40N120S3WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB40N120S3WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB40N120S3WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 454W |
| Schaltenergie | 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 212nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/145ns |
| Testbedingung | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 163ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 30W Schaltenergie 100µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/42ns Testbedingung 300V, 10A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 3A Leistung - max 22W Schaltenergie 32µJ (on), 24µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6.7ns/46ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max - Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/144ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 376ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 24A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/89ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
