NHPV08S600G
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| Teilenummer | NHPV08S600G |
| PNEDA Teilenummer | NHPV08S600G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NHPV08S600G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NHPV08S600G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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NHPV08S600G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 8A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 30µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.16V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 13pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Lieferantengerätepaket DO-221BC (SMPA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
