Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY

Nur als Referenz

Teilenummer NP75P04YLG-E1-AY
PNEDA Teilenummer NP75P04YLG-E1-AY
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NP75P04YLG-E1-AY Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP75P04YLG-E1-AY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NP75P04YLG-E1-AY, NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 236,89 KB)
PDFNP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Cover
NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 2 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 3 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 4 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 5 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 6 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 7 NP75P04YLG-E1-AY Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NP75P04YLG-E1-AY Datasheet
  • where to find NP75P04YLG-E1-AY
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America NP75P04YLG-E1-AY
  • NP75P04YLG-E1-AY PDF Datasheet
  • NP75P04YLG-E1-AY Stock

  • NP75P04YLG-E1-AY Pinout
  • Datasheet NP75P04YLG-E1-AY
  • NP75P04YLG-E1-AY Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • NP75P04YLG-E1-AY Price
  • NP75P04YLG-E1-AY Distributor

NP75P04YLG-E1-AY Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.7mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4800pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta), 138W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-HSON
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT42F50S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

APT35SM70B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 700V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

176W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRL3714ZL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI4108DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 38V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 7.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SFT1345-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

275mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TP

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

74AVCH2T45DC,125

74AVCH2T45DC,125

Nexperia

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8VSSOP

MMBTA05-TP

MMBTA05-TP

Micro Commercial Co

TRANS NPN 60V 0.5A SOT23

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

Semtech

TVS DIODE 5V 20V 8SO

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

TAJE687K006RNJ

TAJE687K006RNJ

CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917

1SMA5940BT3G

1SMA5940BT3G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 43V 1.5W SMA

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

SMCJ15A-13-F

SMCJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMC

FM24V01-GTR

FM24V01-GTR

Cypress Semiconductor

IC FRAM 128K I2C 3.4MHZ 8SOIC