NP80N04KHE-E1-AY
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| Teilenummer | NP80N04KHE-E1-AY |
| PNEDA Teilenummer | NP80N04KHE-E1-AY |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.816 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NP80N04KHE-E1-AY Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NP80N04KHE-E1-AY |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NP80N04KHE-E1-AY, NP80N04KHE-E1-AY Datenblatt
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NP80N04KHE-E1-AY Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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