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NP90N03VHG-E1-AY

NP90N03VHG-E1-AY

Nur als Referenz

Teilenummer NP90N03VHG-E1-AY
PNEDA Teilenummer NP90N03VHG-E1-AY
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 2.394
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NP90N03VHG-E1-AY Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP90N03VHG-E1-AY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NP90N03VHG-E1-AY, NP90N03VHG-E1-AY Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 220,48 KB)
PDFNP90N03VHG-E1-AY Datenblatt Cover
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NP90N03VHG-E1-AY Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.2W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

Linear L2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IRF7822TRL

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMP3028LFDE-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1241pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

660mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type E)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

IPB50N10S3L16ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTQ36N20T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Kürzlich verkauft

HCS3920FTL500

HCS3920FTL500

Stackpole Electronics

RES 500 UOHM 1% 5W 3920

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

CLF7045T-2R2N

CLF7045T-2R2N

TDK

FIXED IND 2.2UH 4.3A 14.6 MOHM

MPZ1608S221ATA00

MPZ1608S221ATA00

TDK

FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

744230900

744230900

Wurth Electronics

CMC 550MA 2LN 90 OHM SMD

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-26.000MHZ-10-1-U-T

Abracon

CRYSTAL 26.0000MHZ 10PF SMD

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

4TPE220MAZB

4TPE220MAZB

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206