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NTB5404NT4G

NTB5404NT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NTB5404NT4G
PNEDA Teilenummer NTB5404NT4G
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTB5404NT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTB5404NT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTB5404NT4G, NTB5404NT4G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 77,59 KB)
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NTB5404NT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.167A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 32V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)5.4W (Ta), 254W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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CPH6337-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-CPH

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FQP32N20C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STF24N60M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II Plus

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

NVGS4141NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 24V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6

AOB11S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

399mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

198W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

WM8962ECSN/R

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Cirrus Logic Inc.

IC CODEC STER 49WCSP

IRFU9024NPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

74AC244SC

74AC244SC

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC

OP295GSZ-REEL

OP295GSZ-REEL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

74HCT32D

74HCT32D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

ES1B-E3/61T

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

AT25320B-SSHL-T

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Microchip Technology

IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8SOIC

SFH618A-4

SFH618A-4

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-DIP

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123