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NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD14N03RT4G
PNEDA Teilenummer NTD14N03RT4G
Beschreibung MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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NTD14N03RT4G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD14N03RT4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD14N03RT4G, NTD14N03RT4G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 126,46 KB)
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NTD14N03RT4G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds115pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF6614

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ ST

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric ST

SCT3105KLHRC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

137mOhm @ 7.6A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 3.81mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

574pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

134W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Paket / Fall

TO-247-3

FDD4243

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Ta), 14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 6.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APT30N60SC6

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2267pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

219W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Paket / Fall

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